1.必須采用模塊化設計，模塊采用全透明亞克力外殼，能直觀的看到內部電路結構、元器件及電路板絲印標識。外殼底部裝有強力磁石，可以吸附在支架的網孔背板上，位置可以任意挪動。模塊之間可靠連接，方便組合搭配和拆卸。要求標書內附有符合此項要求的產品實物照片或圖片，并加以說明具體的實現方式；

2.MOSFET功率電路要求采用大功率MOSFET（600V/25A）的半橋型電路結構，并帶有隔離的驅動電路及保護電路,可以組合成半橋、H橋、三相全橋的功率電路結構。

3.要求提供SPWM控制模塊，可以輸出相位互差120°的6路PWM波，占空比、頻率可調且死區時間≤2us。三相正弦調制波頻率20～200Hz可調，載波頻率5K~20KHz可調。以上信號均可示波器測量；

4.要求提供PWM控制模塊，可以輸出相位互差180°的2路PWM波，占空比、頻率可調且死區時間≤2us。調制波幅值可調，載波頻率5KHz、10KHz，20KHz三檔可選。以上信號均可示波器測量；

5.要求配有獨立的三相LC濾波模塊，L=1mH，C=22uF，且參數可定制；

6.要求模塊的硬件接口和電路線路圖完全開放。裝置的所有電路結構、線路原理圖全部開放；所有功能接口的信號定義、特性、功能和技術指標全部開放。要求標書內附有IGBT半橋結構的模塊電路圖截圖和說明性資料；

7.設備硬件可與NI仿真器做無縫對接，進行半實物仿真及設計性實驗；

8.實驗要求：

（1）MOSFET特性實驗

（2）PWM控制原理實驗

（3）SPWM控制原理實驗

（4）降壓斬波電路（Buck Chopper）實驗

（5）升壓斬波電路（Boost Chopper）實驗

（6）升降壓斬波電路（Boost-Buck Chopper）實驗

（7）單相全橋逆變電路實驗

（8）三相橋式逆變電路實驗

（9）單相半波可控整流電路實驗

（10）單相橋式全控整流電路實驗

（11）三相半波可控整流電路實驗

（12）三相橋式全控整流電路實驗

（13）單相交流調壓實驗